ذاكرة جديدة فائقة السرعة لا تفقد البيانات عند انقطاع الطاقة

ذاكرة جديدة فائقة السرعة لا تفقد البيانات عند انقطاع الطاقةطوّر فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية وجامعة سخالين الحكومية الروسية ومراكز علمية في الصين، نوعًا جديدًا من الذاكرة غير.

29.

06.

2026, سبوتنيك عربيhttps: //cdn.

img.

sarabic.

ae/img/07ea/02/0e/1110355197_0: 320: 3072: 2048_1920x0_80_0_0_b58fabf996fec321e2aa0f788a43d071.

jpg.

webpيهدف هذا التصميم إلى تجاوز إحدى المشكلات الأساسية في الذاكرة التقليدية: فقدان البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي.

وتقوم الفكرة على بنية ثلاثية الطبقات: طبقتان مغناطيسيتان، إحداهما ممغنطة أفقيًا والأخرى عموديًا، وبينهما طبقة فائقة الرقة من التنجستن لا يتجاوز سمكها 1 نانومتر، أي ما يقارب مئة ألف مرة أرق من شعرة الإنسان.

وبحسب الدراسة، بلغت كفاءة تحويل التيار الكهربائي إلى تيار سبيني نحو 15%، وهي قيمة تقارب ما تحققه طبقات أثخن بكثير من المعادن الثقيلة.

ويؤكد الباحثون أن تقليل سماكة الطبقات لا يخدم التصغير فقط، بل يساهم أيضًا في خفض تيارات الكتابة وتقليل الطاقة المطلوبة لتبديل الخلايا، وهو ما يجعل التقنية أكثر ملاءمة للتصنيع العملي.

كما أن التصميم المقترح يستخدم ترتيبًا على شكل حرف T، حيث يولّد التمغنط المتعامد في الطبقتين مجالًا داخليًا فعالًا يغني عن الحاجة إلى مغناطيس خارجي، ما يجعل الجهاز أبسط وأقل كلفة وأكثر موثوقية.

وترى الدراسة أن النتائج تمثل خطوة مهمة نحو جعل SOT-MRAM تقنية قابلة للتسويق التجاري، مع خطط مستقبلية لتحسين المواد والبنى الداخلية، ودراسة إمكانية دمجها في خطوط تصنيع الإلكترونيات الدقيقة الحالية.

المصدر: | بوابة روسيا العلمية |https: //sarabic.

ae/20260224/جامعة-موسكو-الحكومية-تخفض-تكاليف-الذاكرة-اللازمة-لتدريب-نماذج-الذكاء-الاصطناعي-8-أضعاف-1110707518.

htmlfeedback.

arabic@sputniknews.

comhttps: //cdn.

img.

sarabic.

ae/img/07ea/02/0e/1110355197_0: 0: 2732: 2048_1920x0_80_0_0_29612f5663c674f414785496ca02a2b0.

jpg.

webpعلوم, روسيا, الصين, أخبار الأبحاث العلمية© AP Photo / Ng Han Guanمجموعة شرائح كمبيوترطوّر فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية وجامعة سخالين الحكومية الروسية ومراكز علمية في الصين، نوعًا جديدًا من الذاكرة غير المتطايرة يحمل اسم SOT-MRAM، ويُعد خطوة مهمة نحو جيل جديد من وحدات التخزين السريعة والموفرة للطاقة.